檢索結果:共6筆資料 檢索策略: "周賢鎧".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="碳化矽"
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本研究乃以四甲基矽烷(TMS)、氨氣、氫氣為原料氣體的內熱式低壓化學氣相沈積系統,藉由碳化矽/氮化矽複合膜沉積於石墨基材上,作為石墨與碳化矽覆膜間的熱應力緩和傾斜層。利用在氫氣氣氛下控制原料TMS對…
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本論文分為兩個部分,第一部分目的在探討使用共濺鍍氣相沉積法製備碳化矽薄膜。不同於高溫(1600℃)化學氣相沉積法製備碳化矽薄膜,本研究之重點在於利用矽合金靶材和碳靶在相對低溫的下以不同射頻電漿製程參…
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本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上,以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體,達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
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本論文針對碳化矽磊晶層中存在之缺陷進行表徵及生長機制的探討,並透過製作不同尺寸大小之蕭特基二極體,藉由元件電性量測後再對其進行缺陷的反向工程分析,微觀探討元件磊晶層中各種型態缺陷對元件特性之影響,並…